标准号：T/CASAS 064-2026
标准名称：应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2026-06-30
实施日期：2026-06-30
主要内容：主要技术内容：本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。本标准T/CASAS 064-202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》（V2修订版征求意见稿）是针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）器件的动态测试回路杂感测试方法的团体标准，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布。标准主要包含以下技术条款：(1)关键定义。该部分包含了适用范围、规范性引用文件、术语定义和符号和缩略语，概括了标准所适用的被测器件，以及定义了标准中所使用的专业术语规范。(2)测试电路与测试条件。该部分包含了测试回路、测试原理和测试条件，描述了标准规定的测试回路和关键的回路杂感计算依据。(3)测试方法。该部分包含了测试系统搭建、测试系统构成、测试方法和选择功率端子测量点原因说明。该部分详细阐述了测试系统的各个构成部分和搭建方法，以及详细论证了选择SiC MOSFET器件功率端子采集电压来计算回路杂感的原因。(4)测量结果与计量方法。该部分描述了在关断过程采集电压斜率来计算回路杂感的原理。
起草人：毛赛君、严雪松、陈媛、李汝冠、陆月明、肖磊、徐新兵、林氦、陈哲、周行星、任志军、孙承志、张彤宇、王来利、郭斌、闫晗、高伟