标准号：T/CASAS 021-2024
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024年11月19日
实施日期：2024年11月19日
SiCMOSFET具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天迫切需要能够在高压、小散热体积、低损耗要求下工作的电子器件。SiCMOSFET阈值电压的准确测试，对于指导用户应用，评价SiCMOSFET技术状态具有重要意义。
由于SiCMOSFET的阈值电压具有不稳定性，本文件给出了适用于SiCMOSFET阈值电压的测试方法，用于用户入检、生产厂家标定以及第三方检测。
起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、湖北九峰山实验室、是德科技（中国）有限公司、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、芯合半导体（合肥）有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
起草人：刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟。