T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
适用范围：本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
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