标准号：T/CASAS 042-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 高温栅偏试验方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频、高湿等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷。器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可靠性的重要手段。
由于SiC/SiO2界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题，在长期高应力的测试环境下，导致SiCMOSFET器件的失效机制变得复杂，例如阈值电压"V"_"GS(th)"和米勒电容的变化等。SiCMOSFET的高温可靠性试验方法及监控参数，需要做出相应的调整，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的高温栅偏试验方法。
起草人：毛赛君、杨书豪、王培飞、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、张诗梦、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、夏云、周紫薇、杨安丽、吴畅、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、孙钦华、胡惠娜、郭俊、乔良、李本亮、高伟。