标准号：T/ZOIA 3020-2025
标准名称：半导体磁阻元件技术规范
团体名称：中关村光电产业协会
发布日期：2025年06月16日
实施日期：2025年06月16日
1 范围
本标准规定了半导体磁阻元件技术规范（以下简称“SMR”）术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志包装运输和贮存。
本标准适用于半导体磁阻元件的验收、检测及性能实验。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温
GB/T2423.22环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化
IEC61760-2SurfaceMountingTechnology-Part2:TransportationandStorageConditionsofSurfaceMountingDevices(SMD)-ApplicationGuide
J-STD-020JOINTIPC/JEDECStandardMoisture/ReflowSensitivityClassificationforNon-hermeticSurfaceMountDevices(SMDs)
JESD22-A101Steady-StateTemperature-HumidityBiasLifeTest
JESD22-A102DAcceleratedMoistureResistance–UnbiasedAutoclave
JESD22-A103HighTemperatureStorageLife
JESD22-A104TemperatureCycling
JESD22-A108Temperature,Bias,AndOperatingLife
JESD22-A110HighlyAcceleratedTemperatureandHumidityStressTest(HAST)
JESD22-A113PreconditioningOfNonhermeticSurfaceMountDevicesPriorToReliabilityTesting
JESD22-A118AcceleratedMoistureResistance-UnbiasedHast
JESD22-B102ESolderability
JESD47StressTestDrivenQualificationOfIntegratedCircuits
JS-001HumanBodyModel(HBM)
JS-002ChargedDeviceModel(CDM)
3 术语和定义
GB/T4475中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。
3.1
半导体磁阻SMR
当半导体材料处于外加磁场中时，载流子（电子或空穴）受洛伦兹力作用发生运动偏转，导致电流路径变化或散射概率增加，从而引起电阻值的改变，这一现象称为半导体磁阻效应。磁阻效应的强弱与半导体材料本身性质有关（物理磁阻效应），也与材料的几何形状相关（几何磁阻效应），使用半导体材料制备的用于检测磁场的元件被称为半导体磁阻元件（SemiconductorMagnetoResistance，SMR）。
起草单位：苏州矩阵光电有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、昂赛微电子（上海）有限公司、西安中科阿尔法电子科技有限公司
起草人：肖广顺、何渊、朱忻