标准号：T/CASAS 015-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。
由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiCMOSFET器件的阈值电压"V"_"GS"("th")漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。
起草人：陈媛、贺致远、来萍、路国光、何亮、陈兴欢、施宜军、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、蔡宗棋、吴海平、唐宏浩、王宏跃、付志伟、赵鹏、刘伟鑫、李巍巍、王来利、陈刚、罗曦溪、乔良、徐瑞鹏。