标准号：T/CASAS 021-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天迫切需要能够在高压、小散热体积、低损耗要求下工作的电子器件。SiCMOSFET阈值电压的准确测试，对于指导用户应用，评价SiCMOSFET技术状态具有重要意义。
由于SiCMOSFET的阈值电压具有不稳定性，本文件给出了适用于SiCMOSFET阈值电压的测试方法，用于用户入检、生产厂家标定以及第三方检测。
起草人：张国斌、刘奥、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、万玉喜、周紫薇、杨安丽、吴畅、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、郭俊、赵海明、姜南、张珺、高伟。