标准号：T/CASAS 037-2027
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET） 栅极电荷试验方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷是评价器件特性的关键参数，特别是对于开关和驱动器损耗估计，完整提取开关过程中不同阶段电荷，对器件性能评估以及外围电路设计具有重要意义。
由于负压关断、阈值偏移、漏致势垒降低效应等多因素影响，SiCMOSFET的栅极电荷特性与传统的硅基MOSFET存在显著区别。为此，本文件给出了SiCMOSFET开关过程中不同阶段栅极电荷定义，并相应提供了栅极电荷试验及数据处理方法。
起草人：魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、林氦、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、刘志强、宋鑫宇、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、王晓萍、周紫薇、麦志洪、李梦亚、郭俊、李本亮、高伟。