标准号：T/CASAS 033-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
得益于高压、高频、高温等优异特性，SiCMOSFET功率器件在交通电气化、新能源发电等领域逐渐得到广泛应用。然而，SiCMOSFET功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，其性能参数超出传统Si器件的典型范围，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiCMOSFET功率器件的新兴发展需求。现有的SiCMOSFET功率器件开关动态测试，缺乏定量的技术规范和测试方法，测试结果的精度和稳定性难以统一；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比。因此，建立SiCMOSFET功率器件的开关动态测试标准具有重要意义。
为了服务SiC功率器件行业的良性发展，应对SiCMOSFET功率器件开关测试的紧迫需求，制定本文件。本文件给出了SiCMOSFET功率器件开关动态测试的电路、条件、仪器和方法。本文件将依据技术发展进行修订。
起草人：曾正、孙鹏、孙文涛、袁伟、张文嘉、吴倩、蔡晖、潘效飞、牛富丽、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、李永福、张兴杰、王来利、吴新科、林氦、赵爽、李俊焘、谢峰、张太之、孙川、佘超群、陈媛、陈刚、王晓萍、袁俊、吴畅、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、李汝冠、黄海涛、杜凯、刘志强、宋鑫宇、李本亮、高伟。