标准号：T/CASAS 046-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2025年12月30日
实施日期：2025年12月30日
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。
由于SiCMOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiCMOSFET在开关动态情况下的反偏可靠性进行评估。本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的动态反偏(DRB)试验方法。
起草人：陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、路国光、来萍、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、朱贤龙、王民、胡浩林、曾威、袁俊、谢峰、杨霏、刘昌、朱占山、暴杰、李汝冠、孙钦华、王来利、张彤宇、池源、王铁羊、刘陆川、赵高锋、胡惠娜、郭俊、李本亮、高伟。